2017/07/31 Yole：5G重塑RF技术发展版图 市场商机无穷

• 射频电源市场将蓬勃发展。截至2016年底，所有供3瓦(W)以上应用的RF功率半导体总体市场规模接近15亿美元。

• 技术持续演进，氮化镓GaN半导体逐渐抢占横向扩散金属氧化物LDMOS半导体的市场份额

• 随着发展态势变得越来越清晰，RF电力厂商开始投资，并希望能在竞争胜出，成为下一代技术的领导者。

Yole的技术和市场分析师ZhenZong宣称：“在接下来的5年，5G时代将逐步实现，如此的革命性转型将重塑RF技术发展的局势。”不仅对智能手机应用来说如此，3瓦以上的RF电信基础设施应用和5G相关技术，将为RF功率市场中的複合半导体提供相当可观的商机。

“超摩尔定律”市场研究与策略顾问公司Yole发布了题为 發布了題為 RF Power Market and Technologies 2017: GaN, GaAsand LDMOS Report的报告。在这份最新的研究中，Yole邀请您一同探索包括电信和军事等多样市场区隔在内的整个射频功率市场。本报告全面分析了如NXP恩智浦、Ampleon安谱隆、Qorvo、Infineon英飞凌、Sumitomo Electric住友、M-A/COM、Wolfspeed、UMS、AnalogDevices亚德诺等RF功率半导体製造商在市场中的竞争态势，并详细介绍了各种已开发，以及被採用在功率放大器应用中的装置，同时针对LDMOS、GaAs、GaN和SiGe的技术市场态势进行了详细的比较。射频电源市场将蓬勃发展，其中LDMOS、GaAs、GaN或SiGe、GaN等各项半导体技术中何者将于产业发展中胜出？ Yole的分析师为您提供有关RF功率市场的最新现况。

Yole预估在未来的几年间，随着电信基地台升级和smallcell小型基地台需求的增长，市场将会强劲增长。 2016年至2022年底，整体市场收入可能会上涨75％，在此期间複合增长率达到9.8％，市场规模从2016年的15亿美元到2022年的25亿美元。今日，市场正在跨过4G网路建置完成的门槛，然后开始向5G转型。当然，过程中还有很多待解决和建置的部分。然而，新的无线射频网路将需要更多的装置设备和更高的频率这两点是无庸置疑的。芯片供应商，特别是RF功率半导体销售商，将因此拥有巨大的发展机会。

Yole科技与市场分析师HongLin博士提到“在Yole，我们估算电信基础设施的市场规模，包括基地站和无线回程backhaul约佔总市场规模的一半左右。”此外，她也补充说：“它将继续快速增长，我们预估2016-2022年，基地站将达到12.5％的複合年均增长率，而电信backhaul应用的複合年均增长则将达到5.3％。”

与此同时，伴随着採用GaAs和GaN的固态技术取代旧式真空管设计的趋势，国防方面的应用也为射频功率装置提供了绝佳的机会。这些新技术因应各种使用情境，提供了更好的性能、减小的尺寸和可靠度。有鑑于此，它们的所佔的市场份额逐渐增加。到2022年，该市场区隔的收入将增长20％左右，而2016年至2022年的年均複合增长率为4.3％。

专有名词对照一览

RF: Radio-Frequency无线射频

LDMOS : Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor横向扩散金属氧化物半导体

GaAs : Gallium Arsenide砷化镓

GaN: Gallium Nitride氮化镓

SiGe: Silicon Germanium硅锗

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