2017/07/31 Yole：新兴NVM市场蓄势待发？

> 市场条件有利新兴非易失性存储器（NVM）被广为采用。

> 未来五年新兴NVM市场的增长将由存储级内存(SCM)和嵌入式微控制器（MCU）带动

> 独立的新兴NVM市场主要由相位改变内存(PCM)和可变电阻式内存(RRAM)所引领，而嵌入式内存的商机则将由磁阻式内存(MRAM)和RRAM带动。

“大型制造商所推出的产品，新SCM应用的出现以及前五大逻辑代工厂的进入将推动市场发展”，Yole资深技术和市场分析师Santosh Kumar宣称。

新兴NVM潜在应用的集积度和价格定位

进行”超越摩尔定律”(More than Moore)市场研究与策略的咨询公司，Yole，本周发布了新兴非易失性存储器报告2017版Emerging Non-Volatile Memoryreport, 2017 edition。在这次的更新中，该公司提供了半导体内存市场的概述，并深入了解了新兴的NVM应用。本报告详细介绍了每个细分市场区隔的预测，并针对各种NVM技术的分别进行详细分析。 Yole的分析师也透过分析近期的收购、资金进出动态和最新新闻等，描绘分析当前市场现况。此份新兴的NVM报告提出了针对供应链中依技术和各种应用别的个别公司定位提供详尽的叙述。

Yole发掘了有利于新兴非易失性存储器（NVM）被广泛采用的市场条件。这些条件为何?Yole团队预期的市场成长趋势又是甚么？哪些细分市场区隔正在推动市场的演进和改变？Yole邀请您一同探索新兴NVM行业的概况。

如PCM，MRAM和RRAM等新兴的非挥发性技术有着悠久的发展历史。然而，由于各种因素，它们的采用仍然被限制在特定利基市场。现存产品集积度有限，而窜起的NVM先驱推出高集积度产品的计划也一再延迟。新兴材料和加工流程的出现，形成了制造方面的挑战。同时，主流存储技术在集积度和成本方面也在持续改善中。最后，目前也还未出现一个可以挑战DRAM和NAND闪存的杀手级应用。

新兴NVM独立存储上市时程一再延误

然而，当今市场上也出现了将推动新兴的NVM业务走上快速增长轨道的有利因素。 Yole分析师举出下列几点：

• 新的SCM市场区隔的出现。这是在原有工作存储器和数据存储系统架构之间的另一个内存层次结构。主要透过提高系统速度来减少延迟。它将支援并与DRAM和NAND共存。

• 像英特尔(Intel)这样的大企业，在2017年在SCM应用市场推出基于PCM的3D XPoint快闪内存市场。而Micron将在2017年底之前推出一款3D XPoint内存产品。

• 投资者对新兴NVM业务仍然乐观，2016年资金超过1亿美元即是种证明。

• 像台积电、三星、格罗方德半导体(Global Foundries)、联电和中芯国际等大型代工厂开始跨足新兴的NVM内存业务。 Yole 分析师Santosh Kumar解释道：“他们将在2018/2019的时间内为嵌入式MCU引入MRAM和RRAM技术。” 接着补充说：“由于新兴NVM是CMOS兼容技术，这是代工厂大幅增长内存业务的好机会。”

新兴NVM的市场将在2016年至2022年之间以106％的年均复合增长率成长，到2022年将达到约39亿美元。新的SCM供应链管理层级和嵌入式MCU将成为推动此趋势的主因。

“创建新的内存类别将是一场需要所有内存市场生态系统厂商进行大量的硬件和软件开发的根本性变化。” Yole技术和市场分析师Yann de Charentenay评论道。 SCM企业存储和客户端应用所采用，然后发展到移动设备上的使用。英特尔在2017年初锁定SCM应用所推出的XPoint内存产品，是颠覆既有现况的创新。

存储市场厂商并吞动态

缩写名词解释及翻译

NVM：Non-VolatileMemory非易失性存储器

SCM : Storage Class Memory存储级内存 PCM : Phase-Change Memory 相位改变内存 MRAM : Magnetoresistive Random AccessMemory 磁阻式内存 RRAM : Resistive Random Access Memory可变电阻式内存 DRAM : Dynamic Random Access Memory 动态随机存取内存

MCU： MicroprogramControl Unit微控制器